Name: IPM018N10NM5LF2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND
Price: 205.9178 CZK
Availability: OutOfStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPM018N10NM5LF2AUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Popis	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-4-1
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Ta), 285A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V, 15V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,7mOhm při 100A, 15V
Vgs(th) (max) při Id	3,45V při 240µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	178 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	14000 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 349W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOG-4-1
Pouzdro	4-PowerSFN