Name: IPM018N10NM5LF2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND
Price: 262.9693 CZK
Availability: OutOfStock

Nový produkt

N-kanál 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-4-1

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPM018N10NM5LF2AUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Popis	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-4-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPM018N10NM5LF2AUMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 1,7mOhm při 100A, 15V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 3,45V při 240µA
Řada OptiMOS™ 5	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 178 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 14000 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3,8W (Ta), 349W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Ta), 285A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOG-4-1
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V, 15V	Pouzdro 4-PowerSFN