Name: PSMN2R3-100SSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND
Price: 182.9399 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PSMN2R3-100SSEJ
Číslo produktu DigiKey	1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-PSMN2R3-100SSEJCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-PSMN2R3-100SSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	PSMN2R3-100SSEJ
Popis	APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 255A (Tc) 341W (Tc) Montáž na povrch LFPAK88 (SOT1235)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	PSMN2R3-100SSEJ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 1mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 160 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 17200 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 341W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 255A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra LFPAK88 (SOT1235)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro SOT-1235
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,2mOhm při 25A, 10V	Základní číslo produktu PSMN2R3