Name: IPG20N10S4L22AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L22AATMA1TR-ND
Price: 75.2015 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPG20N10S4L22AATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPG20N10S4L22AATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPG20N10S4L22AATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPG20N10S4L22AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPG20N10S4L22AATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 20A 60W Montáž na povrch, Smáčitelný bok PG-TDSON-8-10
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPG20N10S4L22AATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 22mOhm při 17A, 10V
Výrobce Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 2,1V při 25µA
Řada OptiMOS™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 27nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1755pF při 25V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 60W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-PowerVDFN
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8-10
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 20A	Základní číslo produktu IPG20N

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 10 656

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®