Name: IPG20N10S4L22AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L22AATMA1TR-ND
Price: 60.621 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPG20N10S4L22AATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPG20N10S4L22AATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPG20N10S4L22AATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPG20N10S4L22AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPG20N10S4L22AATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 20A 60W Montáž na povrch, Smáčitelný bok PG-TDSON-8-10
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPG20N10S4L22AATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20A
Rds zap (max) při Id, Vgs	22mOhm při 17A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,1V při 25µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	27nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1755pF při 25V
Výkon - max	60W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Pouzdro	8-PowerVDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-10
Základní číslo produktu	IPG20N