Name: IPG20N10S4L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L35ATMA1TR-ND
Price: 62.5812 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPG20N10S4L35ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPG20N10S4L35ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPG20N10S4L35ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPG20N10S4L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPG20N10S4L35ATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 20A 43W Montáž na povrch PG-TDSON-8-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPG20N10S4L35ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,1V při 16µA
Výrobce Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 17,4nC při 10V
Řada OptiMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1105pF při 25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 43W
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Kvalifikace AEC-Q101
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 20A	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8-4
Rds zap (max) při Id, Vgs 35mOhm při 17A, 10V	Základní číslo produktu IPG20N

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 5 860

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®