Pole MOSFET 100V 20A 60W Montáž na povrch PG-TDSON-8-4
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
Pole MOSFET 100V 20A 60W Montáž na povrch PG-TDSON-8-4
PG-TDSON-8-4

IPG20N10S4L22ATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPG20N10S4L22ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPG20N10S4L22ATMA1
Popis
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce
35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 100V 20A 60W Montáž na povrch PG-TDSON-8-4
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPG20N10S4L22ATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
20A
Rds zap (max) při Id, Vgs
22mOhm při 17A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,1V při 25µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
27nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1755pF při 25V
Výkon - max
60W
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
8-PowerVDFN
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TDSON-8-4
Základní číslo produktu
IPG20N
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 9 532
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
155,22000 Kč55,22 Kč
1035,42400 Kč354,24 Kč
10024,16450 Kč2 416,45 Kč
50019,34504 Kč9 672,52 Kč
1 00017,79539 Kč17 795,39 Kč
2 00017,22004 Kč34 440,08 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 00015,08328 Kč75 416,40 Kč
10 00014,21317 Kč142 131,70 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:55,22000 Kč
Jednotková cena s DPH:66,81620 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
2 Položky
AUIR2085STR

AUIR2085STR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

90,92000 Kč
TLE9180D31QKXUMA1

TLE9180D31QKXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP

Infineon Technologies

149,93000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
BSC190N12NS3GATMA1

BSC190N12NS3GATMA1

MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON

Infineon Technologies

45,78000 Kč
IPG20N10S4L35ATMA1

IPG20N10S4L35ATMA1

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Infineon Technologies

45,78000 Kč
OM-7604-C7-32.768KHZ-20PPM-TA-QC

OM-7604-C7-32.768KHZ-20PPM-TA-QC

OSC XO 32.7680KHZ SMD

Micro Crystal AG

26,25000 Kč
ECS-240-18-33-JGN-TR

ECS-240-18-33-JGN-TR

CRYSTAL 24.0000MHZ 18PF SMD

ECS Inc.

8,61000 Kč
STM6710DWB6F

STM6710DWB6F

IC SUPERVISOR 4 CHANNEL SOT23-6

STMicroelectronics

33,18000 Kč
ADP46075W3

ADP46075W3

MOSFET 6N-CH 750V 485A ACEPACK

STMicroelectronics

18 373,25000 Kč
FAM65CR51XZ1

FAM65CR51XZ1

MOSFET 2N-CH 650V 64A APMCA-A16

onsemi

507,10167 Kč
NXH003P120M3F2PTNG

NXH003P120M3F2PTNG

MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM

onsemi

4 686,96000 Kč
ADP360120W3

ADP360120W3

MOSFET 6N-CH 1200V 379A ACEPACK

STMicroelectronics

64 051,04000 Kč
FS03MR12A6MA1BBPSA1

FS03MR12A6MA1BBPSA1

MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD

Infineon Technologies

42 079,57000 Kč