
SIS990DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIS990DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIS990DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIS990DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIS990DN-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 49 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 100V 12,1A 25W Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIS990DN-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 100V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 12,1A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 85mOhm při 8A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 8nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 250pF při 50V | |
Výkon - max | 25W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | PowerPAK® 1212-8 duální | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® 1212-8 duální | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 30,24000 Kč | 30,24 Kč |
| 10 | 19,04500 Kč | 190,45 Kč |
| 100 | 12,64290 Kč | 1 264,29 Kč |
| 500 | 9,89510 Kč | 4 947,55 Kč |
| 1 000 | 9,01045 Kč | 9 010,45 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 7,88734 Kč | 23 662,02 Kč |
| 6 000 | 7,32200 Kč | 43 932,00 Kč |
| 9 000 | 7,03405 Kč | 63 306,45 Kč |
| 15 000 | 6,98184 Kč | 104 727,60 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 30,24000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 36,59040 Kč |











