Name: SIS990DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS990DN-T1-GE3TR-ND
Price: 38.8652 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIS990DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIS990DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIS990DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIS990DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIS990DN-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Standardní dodací lhůta výrobce	42 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 12,1A 25W Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIS990DN-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Výrobce Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 8nC při 10V
Řada TrenchFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 250pF při 50V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 25W
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Pouzdro PowerPAK® 1212-8 duální
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 1212-8 duální
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 12,1A	Základní číslo produktu SIS990
Rds zap (max) při Id, Vgs 85mOhm při 8A, 10V