
SI7252DP-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI7252DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7252DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI7252DP-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 28 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 100V 36,7A 46W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI7252DP-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 100V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 36,7A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 18mOhm při 15A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 27nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1170pF při 50V | |
Výkon - max | 46W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | PowerPAK® SO-8 duální | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SO-8 duální | |
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 60,41000 Kč | 60,41 Kč |
10 | 39,14000 Kč | 391,40 Kč |
100 | 26,98940 Kč | 2 698,94 Kč |
500 | 22,30894 Kč | 11 154,47 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 18,22625 Kč | 54 678,75 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 60,41000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 73,09610 Kč |