Name: SI7252DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7252DP-T1-GE3TR-ND
Price: 78.7589 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI7252DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI7252DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI7252DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7252DP-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 36,7A 46W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI7252DP-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 18mOhm při 15A, 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 27nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1170pF při 50V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 46W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 36,7A	Základní číslo produktu SI7252