Name: SQJQ910EL-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ910EL-T1_GE3TR-ND
Price: 91.1009 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJQ910EL-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJQ910EL-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJQ910EL-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJQ910EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJQ910EL-T1_GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 70A (Tc) 187W Montáž na povrch PowerPAK® 8x8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJQ910EL-T1_GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 58nC při 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2832pF při 50V
Řada TrenchFET®	Výkon - max 187W
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Stav součásti Aktivní	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V	Pouzdro PowerPAK® 8x8 duální
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 70A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 8x8 duální
Rds zap (max) při Id, Vgs 8,6mOhm při 10A, 10V	Základní číslo produktu SQJQ910
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA