Name: IAUCN10S5L094DATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S5L094DATMA1TR-ND
Price: 53.1795 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUCN10S5L094DATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUCN10S5L094DATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUCN10S5L094DATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUCN10S5L094DATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUCN10S5L094DATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 66A (Tj) 96W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-60
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUCN10S5L094DATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	66A (Tj)
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,4mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 35µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	30nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2180pF při 50V
Výkon - max	96W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerTDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-60