Name: IAUTN08S5N012LATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND
Price: 173.6592 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUTN08S5N012LATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUTN08S5N012LATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUTN08S5N012LATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUTN08S5N012LATMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 80V 300A (Tj) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUTN08S5N012LATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál, společný odtok, společný zdroj
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	300A (Tj)
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,15mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,3V při 275µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	24nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	15340pF při 40V
Výkon - max	375W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerSFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-2