Name: NVMFD5C650NLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFD5C650NLT1GOSTR-ND
Price: 152.4479 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMFD5C650NLT1G
Číslo produktu DigiKey	NVMFD5C650NLT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVMFD5C650NLT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVMFD5C650NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMFD5C650NLT1G
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	50 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3,5W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch 8-DFN (5x6) duální praporek (SO8FL-duální)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NVMFD5C650NLT1G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 16nC při 4,5V
Výrobce onsemi	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2546pF při 25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 3,5W (Ta), 125W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 21A (Ta), 111A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,2mOhm při 20A, 10V	Dodávaná velikost pouzdra 8-DFN (5x6) duální praporek (SO8FL-duální)
Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 98µA	Základní číslo produktu NVMFD5