Name: NVMFD5C650NLWFT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFD5C650NLWFT1GOSTR-ND
Price: 146.4342 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMFD5C650NLWFT1G
Číslo produktu DigiKey	NVMFD5C650NLWFT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NVMFD5C650NLWFT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NVMFD5C650NLWFT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMFD5C650NLWFT1G
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3,5W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch 8-DFN (5x6) duální praporek (SO8FL-duální)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	21A (Ta), 111A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,2mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,2V při 98µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	16nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2546pF při 25V
Výkon - max	3,5W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerTDFN
Dodávaná velikost pouzdra	8-DFN (5x6) duální praporek (SO8FL-duální)
Základní číslo produktu	NVMFD5