Name: DMT10H017LPD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H017LPD-13TR-ND
Price: 61.2381 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT10H017LPD-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMT10H017LPD-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT10H017LPD-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT10H017LPD-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT10H017LPD-13
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 54,7A (Tc) 2,2W (Ta), 78W (Tc) Montáž na povrch PowerDI5060-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 28,6nC při 10V
Výrobce Diodes Incorporated	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1986pF při 50V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 2,2W (Ta), 78W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 54,7A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 17,4mOhm při 17A, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PowerDI5060-8
Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA	Základní číslo produktu DMT10