Name: IPB038N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB038N12N3GATMA1TR-ND
Price: 139.2347 CZK
Availability: InStock

IPB038N12N3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB038N12N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB038N12N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB038N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB038N12N3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB038N12N3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	120 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,8mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 270µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	211 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	13800 pF @ 60 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB038

Jednotková cena bez DPH:	115,07000 Kč
Jednotková cena s DPH:	139,23470 Kč

IPB038N12N3GATMA1