N-kanál 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPB072N15N3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB072N15N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPB072N15N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPB072N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPB072N15N3GATMA1
Popis
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPB072N15N3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
7,2mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 270µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
5470 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3-2
Pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu
IPB072
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1 211
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
185,46000 Kč85,46 Kč
1056,16100 Kč561,61 Kč
10039,51090 Kč3 951,09 Kč
50035,60312 Kč17 801,56 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00029,21782 Kč29 217,82 Kč
2 00029,08773 Kč58 175,46 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:85,46000 Kč
Jednotková cena s DPH:103,40660 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
8 Položky
2ED2184S06FXUMA1

2ED2184S06FXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

38,52000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

22,73000 Kč
IRS2011STRPBF

IRS2011STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

22,94000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,79000 Kč
2EDL23N06PJXUMA1

2EDL23N06PJXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO

Infineon Technologies

44,63000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

18,95000 Kč
2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06MXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

Infineon Technologies

55,57000 Kč
IRS20752LTRPBF

IRS20752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,58000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
SMBJ58A

SMBJ58A

TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AA

Littelfuse Inc.

6,95000 Kč
BSS123W-7-F

BSS123W-7-F

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323

Diodes Incorporated

7,16000 Kč
SZ1.5SMC51AT3G

SZ1.5SMC51AT3G

TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC SMC

Littelfuse Inc.

6,53000 Kč
NZ9F15VST5G

NZ9F15VST5G

DIODE ZENER 14.66V 250MW SOD923

onsemi

5,47000 Kč
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK

Infineon Technologies

107,78000 Kč
TMP100NA/3K

TMP100NA/3K

SENSOR DIGITAL -55C-125C SOT23-6

Texas Instruments

30,94000 Kč
NSR0130P2T5G

NSR0130P2T5G

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD923

onsemi

3,58000 Kč
74AVC4T245QRGYRQ1

74AVC4T245QRGYRQ1

IC TRANSLATION TXRX 3.6V 16-VQFN

Texas Instruments

37,05000 Kč
MOSFET

MOSFET

SILICON MOSFET KIT

Infineon Technologies

2 607,67000 Kč
BSC074N15NS5ATMA1

BSC074N15NS5ATMA1

MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3

Infineon Technologies

105,67000 Kč