Name: IPB065N15N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB065N15N3GATMA1TR-ND
Price: 179.1284 CZK
Availability: InStock

IPB065N15N3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB065N15N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB065N15N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB065N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB065N15N3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 130A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB065N15N3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	130A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,5mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 270µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	93 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7300 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7
Pouzdro	TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Základní číslo produktu	IPB065

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1 000	56,77712 Kč	56 777,12 Kč
2 000	55,61846 Kč	111 236,92 Kč

Jednotková cena bez DPH:	148,04000 Kč
Jednotková cena s DPH:	179,12840 Kč

IPB065N15N3GATMA1