Name: DMT12H007LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H007LPS-13TR-ND
Price: 57.1725 CZK
Availability: InStock

DMT12H007LPS-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMT12H007LPS-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT12H007LPS-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT12H007LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT12H007LPS-13
Popis	MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 120 V 90A (Tc) 2,9W Montáž na povrch PowerDI5060-8
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	120 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	90A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,8mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3224 pF @ 60 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,9W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerDI5060-8
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	DMT12

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
2 500	13,25436 Kč	33 135,90 Kč
5 000	12,97416 Kč	64 870,80 Kč

Jednotková cena bez DPH:	47,25000 Kč
Jednotková cena s DPH:	57,17250 Kč

DMT12H007LPS-13