Name: DMT12H007LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H007LPS-13TR-ND
Price: 73.689 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT12H007LPS-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMT12H007LPS-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT12H007LPS-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT12H007LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT12H007LPS-13
Popis	MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 120 V 90A (Tc) 2,9W Montáž na povrch PowerDI5060-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 49 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3224 pF @ 60 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,9W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 120 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 90A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerDI5060-8
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 7,8mOhm při 30A, 10V	Základní číslo produktu DMT12