Name: IPB073N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB073N15N5ATMA1TR-ND
Price: 121.7018 CZK
Availability: InStock

IPB073N15N5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB073N15N5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB073N15N5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB073N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB073N15N5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB073N15N5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	114A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,3mOhm při 57A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,6V při 160µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4700 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	214W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3-2
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB073

Jednotková cena bez DPH:	100,58000 Kč
Jednotková cena s DPH:	121,70180 Kč

IPB073N15N5ATMA1