Name: IGC090S20S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC090S20S1XTMA1TR-ND
Price: 132.9548 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IGC090S20S1XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGC090S20S1XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGC090S20S1XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGC090S20S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGC090S20S1XTMA1
Popis	200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSC
Standardní dodací lhůta výrobce	9 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 12A (Ta), 46A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-6-2
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolGaN™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	12A (Ta), 46A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9mOhm při 10A, 5V
Vgs(th) (max) při Id	2,9V při 5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	8.5 nC @ 5 V
Vgs (max)	±6,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	800 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-6-2
Pouzdro	6-PowerTDFN

Jednotková cena bez DPH:	109,88000 Kč
Jednotková cena s DPH:	132,95480 Kč

IGC090S20S1XTMA1