Name: IGC025S08S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND
Price: 120.1772 CZK
Availability: InStock

IGC025S08S1XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGC025S08S1XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGC025S08S1XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGC025S08S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGC025S08S1XTMA1
Popis	GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	29 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 23A (Ta), 86A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-6-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IGC025S08S1XTMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolGaN™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	23A (Ta), 86A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,5mOhm při 25A, 5V
Vgs(th) (max) při Id	2.9V @ 10mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	16 nC @ 5 V
Vgs (max)	±6,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1400 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-6-2
Pouzdro	6-PowerTDFN

Jednotková cena bez DPH:	99,32000 Kč
Jednotková cena s DPH:	120,17720 Kč

IGC025S08S1XTMA1