Name: IGC033S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC033S10S1XTMA1TR-ND
Price: 116.8739 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IGC033S10S1XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGC033S10S1XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGC033S10S1XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGC033S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGC033S10S1XTMA1
Popis	GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	29 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 21A (Ta), 76A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-6-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IGC033S10S1XTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 3,3mOhm při 20A, 5V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 2,9V při 8mA
Řada CoolGaN™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 14 nC @ 5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±6,5V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1400 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 3,3W (Ta), 45W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 21A (Ta), 76A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSON-6-2
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V	Pouzdro 6-PowerTDFN