Name: IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND
Price: 100.1033 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IGB070S10S1XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGB070S10S1XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGB070S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGB070S10S1XTMA1
Popis	GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 13A (Ta), 38A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-4-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IGB070S10S1XTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 7mOhm při 13A, 5V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 2,9V při 4,5mA
Řada CoolGaN™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 7.9 nC @ 5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±6,5V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 740 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,6W (Ta), 23W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 13A (Ta), 38A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSON-4-2
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V	Pouzdro 4-PowerTDFN

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 2 801

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®