Name: IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND
Price: 80.2835 CZK
Availability: InStock

IGB070S10S1XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGB070S10S1XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGB070S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGB070S10S1XTMA1
Popis	GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 13A (Ta), 38A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-4-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IGB070S10S1XTMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolGaN™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	13A (Ta), 38A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7mOhm při 13A, 5V
Vgs(th) (max) při Id	2,9V při 4,5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	7.9 nC @ 5 V
Vgs (max)	±6,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	740 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,6W (Ta), 23W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-4-2
Pouzdro	4-PowerTDFN

Jednotková cena bez DPH:	66,35000 Kč
Jednotková cena s DPH:	80,28350 Kč

IGB070S10S1XTMA1