Name: IGB110S101XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S101XTMA1TR-ND
Price: 57.3056 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IGB110S101XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGB110S101XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGB110S101XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGB110S101XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGB110S101XTMA1
Popis	MV GAN DISCRETES
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Montáž na povrch PG-VSON-4-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IGB110S101XTMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolGaN™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9A (Ta), 23A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	11mOhm při 10A, 5V
Vgs(th) (max) při Id	2,9V při 3mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4.4 nC @ 5 V
Vgs (max)	±6,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	340 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 15W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-VSON-4-3
Pouzdro	4-PowerVDFN

Jednotková cena bez DPH:	47,36000 Kč
Jednotková cena s DPH:	57,30560 Kč

IGB110S101XTMA1