Name: IGC019S06S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC019S06S1XTMA1TR-ND
Price: 109.5292 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IGC019S06S1XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGC019S06S1XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGC019S06S1XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGC019S06S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGC019S06S1XTMA1
Popis	MV GAN DISCRETES
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 27A (Ta), 99A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-6-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IGC019S06S1XTMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolGaN™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	27A (Ta), 99A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,9mOhm při 35A, 5V
Vgs(th) (max) při Id	2,9V při 12mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	13 nC @ 5 V
Vgs (max)	±6,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1450 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-6-2
Pouzdro	6-PowerTDFN

Jednotková cena bez DPH:	90,52000 Kč
Jednotková cena s DPH:	109,52920 Kč

IGC019S06S1XTMA1