Name: IGC019S06S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC019S06S1XTMA1TR-ND
Price: 109.2509 CZK
Availability: InStock

IGC019S06S1XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGC019S06S1XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGC019S06S1XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGC019S06S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGC019S06S1XTMA1
Popis	GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 27A (Ta), 99A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-6-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IGC019S06S1XTMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolGaN™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	27A (Ta), 99A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,9mOhm při 35A, 5V
Vgs(th) (max) při Id	2,9V při 12mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	17 nC @ 5 V
Vgs (max)	±6,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1700 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-6-2
Pouzdro	6-PowerTDFN

Jednotková cena bez DPH:	90,29000 Kč
Jednotková cena s DPH:	109,25090 Kč

IGC019S06S1XTMA1