Name: NTBG160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG160N120SC1TR-ND
Price: 254.3299 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTBG160N120SC1
Číslo produktu DigiKey	5556-NTBG160N120SC1TR-ND - Páska a cívka (TR) 5556-NTBG160N120SC1CT-ND - Řezaná páska (CT) 5556-NTBG160N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTBG160N120SC1
Popis	SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 19,5A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch D2PAK-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTBG160N120SC1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,3V při 2,5mA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 33.8 nC @ 20 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +25V, -15V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 678 pF @ 800 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 136W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 19,5A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra D2PAK-7
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 20V	Pouzdro TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Rds zap (max) při Id, Vgs 224mOhm při 12A, 20V	Základní číslo produktu NTBG160