Name: DMT10H072LFDFQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H072LFDFQ-7TR-ND
Price: 22.6149 CZK
Availability: OutOfStock

DMT10H072LFDFQ-7
Číslo produktu DigiKey	31-DMT10H072LFDFQ-7TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT10H072LFDFQ-7CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT10H072LFDFQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT10H072LFDFQ-7
Popis	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 4A (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch U-DFN2020-6 (Typ F)
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	62mOhm při 4,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	228 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,8W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	U-DFN2020-6 (Typ F)
Pouzdro	6-UDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	DMT10

Jednotková cena bez DPH:	18,69000 Kč
Jednotková cena s DPH:	22,61490 Kč

DMT10H072LFDFQ-7