Name: DMT10H072LFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H072LFDF-7TR-ND
Price: 29.4756 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT10H072LFDF-7
Číslo produktu DigiKey	31-DMT10H072LFDF-7TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMT10H072LFDF-7CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMT10H072LFDF-7DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMT10H072LFDF-7
Popis	MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Standardní dodací lhůta výrobce	40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 4A (Ta) 800mW (Ta) Montáž na povrch U-DFN2020-6 (Typ F)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Mfr Diodes Incorporated	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 5.1 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 266 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 800mW (Ta)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra U-DFN2020-6 (Typ F)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 6-UDFN podložka pro odvod tepla
Rds zap (max) při Id, Vgs 62mOhm při 4,5A, 10V	Základní číslo produktu DMT10

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 552

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)