N-kanál 100 V 4A (Ta) 800mW (Ta) Montáž na povrch U-DFN2020-6 (Typ F)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMT10H072LFDFQ-13

Číslo produktu DigiKey
31-DMT10H072LFDFQ-13TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce
DMT10H072LFDFQ-13
Popis
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Standardní dodací lhůta výrobce
40 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 4A (Ta) 800mW (Ta) Montáž na povrch U-DFN2020-6 (Typ F)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Diodes Incorporated
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
4A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
62mOhm při 4,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
4.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
228 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
800mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
U-DFN2020-6 (Typ F)
Pouzdro
6-UDFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu
DMT10
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání
Zkontrolovat dodací lhůtu
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
10 0003,83361 Kč38 336,10 Kč
20 0003,56514 Kč71 302,80 Kč
30 0003,42842 Kč102 852,60 Kč
50 0003,27483 Kč163 741,50 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:3,83361 Kč
Jednotková cena s DPH:4,63867 Kč
Může vás též zajímat
1 Položky
DMT10H072LFDFQ-7

DMT10H072LFDFQ-7

MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN

Diodes Incorporated

18,69000 Kč