Name: SIRS700DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS700DP-T1-GE3TR-ND
Price: 119.9231 CZK
Availability: InStock

SIRS700DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIRS700DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIRS700DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIRS700DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIRS700DP-T1-GE3
Popis	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 30A (Ta), 127A (Tc) 7,4W (Ta),132W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Ta), 127A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,5mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5950 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	7,4W (Ta),132W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8

Jednotková cena bez DPH:	99,11000 Kč
Jednotková cena s DPH:	119,92310 Kč

SIRS700DP-T1-GE3