Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
Tranzistory MOSFET v 5G provedení
Tranzistory MOSFET od společnosti Vishay pro energetickou infrastrukturu 5G nabízejí řešení pro telekomunikační napájecí zdroje o výkonu až 6 kW
Společnost 
Vishay nabízí širokou škálu výkonových tranzistorů MOSFET v pouzdrech pro povrchovou montáž pro infrastrukturu 5G, základní stanice a edge a cloud computing. Tranzistory MOSFET v pouzdrech PowerPAK® 10x12 a 8x8 řady E se super-přechodem poskytují nejlepší hodnotu účinnosti FOM ve své třídě pro kompenzaci účiníku (PFC), zatímco řada EF s integrovanými rychlými tělovými diodami poskytuje snížený náboj QRR a rychlejší nabíjení a vybíjení pro pulzně šířkovou modulaci (PWM). Středonapěťové a nízkonapěťové tranzistory MOSFET Gen V s ultra nízkým odporem v zapnutém stavu v pouzdrech PowerPAK SO-8 a SO-8DC jsou optimalizovány pro aplikace synchronního usměrňování a OR-ing.
Vlastnosti
- Standardní tranzistor MOSFET řady E se super-přechodem
- Nejlepší řešení kompenzace účiníku ve své třídě
- Nejnižší hodnota FOM
- Tranzistory MOSFET řady EF super-přechodem a integrovanou rychlou tělovou diodou
- Rychlá tělová dioda poskytuje až 10násobné snížení náboje QRR pro kontrolu nad životností nosičů oproti standardnímu tranzistoru MOSFET řady E.
- Dvojnásobné zkrácení doby nabíjení a vybíjení oproti konkurenci
- Navrženo a vyvinuto pro měkké spínací topologie, jako jsou rezonanční LLC měniče.
- Nízkonapěťové a středonapěťové tranzistory MOSFET generace V
- K dispozici jsou součástky 80 V až 150 V
- Optimalizovaná kombinace RDS(ON), QG a COSS
Aplikace
- Edge computing
- Cloud computing
- 5G infrastruktura
- 5G základní stanice
- 5G routery
- AC/DC SMPS
MOSFETs in 5G
| Obrázek | Objednací číslo výrobce | Popis | Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | Available Quantity | Cena | Zobrazit podrobnosti | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SIR510DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW | 31A (Ta), 126A (Tc) | 7,5V, 10V | 100 V | 11435 - Immediate | $71.81 | Zobrazit podrobnosti |
|  | SIHD6N80E-GE3 | MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK | 5,4A (Tc) | 10V | 800 V | 1972 - Immediate | $64.25 | Zobrazit podrobnosti |
|  | SIHG065N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC | 40A (Tc) | 10V | 600 V | 421 - Immediate | $190.24 | Zobrazit podrobnosti |
| | SIHG018N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC | 99A (Tc) | 10V | 600 V | 706 - Immediate | $400.64 | Zobrazit podrobnosti |
|  | SIHB11N80AE-GE3 | MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK | 8A (Tc) | 10V | 800 V | 699 - Immediate | $65.51 | Zobrazit podrobnosti |
|  | SIHA186N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220 | 8,4A (Tc) | 10V | 600 V | 0 - Immediate | $86.30 | Zobrazit podrobnosti |
| | SIHB186N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK | 8,4A (Tc) | 10V | 600 V | 3274 - Immediate | $88.61 | Zobrazit podrobnosti |
|  | SIHF15N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 | 15A (Tc) | 10V | 600 V | 395 - Immediate | $91.55 | Zobrazit podrobnosti |
| | SIHG186N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC | 8,4A (Tc) | 10V | 600 V | 32 - Immediate | $99.95 | Zobrazit podrobnosti |
| | SIHA11N80E-GE3 | MOSFET N-CH 800V 12A TO220 | 12A (Tc) | 10V | 800 V | 1079 - Immediate | $101.21 | Zobrazit podrobnosti |
| | SIHA105N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 | 12A (Tc) | 10V | 600 V | 983 - Immediate | $109.82 | Zobrazit podrobnosti |
|  | SIHF22N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 | 21A (Tc) | 10V | 600 V | 5136 - Immediate | $111.50 | Zobrazit podrobnosti |
| | SIHG105N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC | 29A (Tc) | 10V | 600 V | 295 - Immediate | $117.38 | Zobrazit podrobnosti |
|  | SIHP21N80AE-GE3 | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB | 17,4A (Tc) | 10V | 800 V | 0 - Immediate | $110.24 | Zobrazit podrobnosti |
| | SIHA125N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | 11A (Tc) | 10V | 600 V | 980 - Immediate | $119.06 | Zobrazit podrobnosti |
| | SIHB100N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK | 30A (Tc) | 10V | 600 V | 658 - Immediate | $132.29 | Zobrazit podrobnosti |
| | SIHG100N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC | 30A (Tc) | 10V | 600 V | 326 - Immediate | $144.47 | Zobrazit podrobnosti |
| | SIHB065N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK | 40A (Tc) | 10V | 600 V | 0 - Immediate | $49.87 | Zobrazit podrobnosti |
| | SIHF065N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 40A TO220 | 40A (Tc) | 10V | 600 V | 1174 - Immediate | $179.53 | Zobrazit podrobnosti |
| | SIHP052N60EF-GE3 | MOSFET EF SERIES TO-220AB | 48A (Tc) | 10V | 600 V | 896 - Immediate | $167.56 | Zobrazit podrobnosti |
Published: 2022-12-08
