Vishay / Siliconix

Tranzistory MOSFET v 5G provedení

Tranzistory MOSFET od společnosti Vishay pro energetickou infrastrukturu 5G nabízejí řešení pro telekomunikační napájecí zdroje o výkonu až 6 kW

Společnost Obrázek tranzistorů MOSFET od společnosti Vishay Siliconix v 5G provedeníVishay nabízí širokou škálu výkonových tranzistorů MOSFET v pouzdrech pro povrchovou montáž pro infrastrukturu 5G, základní stanice a edge a cloud computing. Tranzistory MOSFET v pouzdrech PowerPAK® 10x12 a 8x8 řady E se super-přechodem poskytují nejlepší hodnotu účinnosti FOM ve své třídě pro kompenzaci účiníku (PFC), zatímco řada EF s integrovanými rychlými tělovými diodami poskytuje snížený náboj QRR a rychlejší nabíjení a vybíjení pro pulzně šířkovou modulaci (PWM). Středonapěťové a nízkonapěťové tranzistory MOSFET Gen V s ultra nízkým odporem v zapnutém stavu v pouzdrech PowerPAK SO-8 a SO-8DC jsou optimalizovány pro aplikace synchronního usměrňování a OR-ing.

Vlastnosti
  • Standardní tranzistor MOSFET řady E se super-přechodem
    • Nejlepší řešení kompenzace účiníku ve své třídě
    • Nejnižší hodnota FOM
  • Tranzistory MOSFET řady EF super-přechodem a integrovanou rychlou tělovou diodou
    • Rychlá tělová dioda poskytuje až 10násobné snížení náboje QRR pro kontrolu nad životností nosičů oproti standardnímu tranzistoru MOSFET řady E.
    • Dvojnásobné zkrácení doby nabíjení a vybíjení oproti konkurenci
    • Navrženo a vyvinuto pro měkké spínací topologie, jako jsou rezonanční LLC měniče.
  • Nízkonapěťové a středonapěťové tranzistory MOSFET generace V
    • K dispozici jsou součástky 80 V až 150 V
    • Optimalizovaná kombinace RDS(ON), QG a COSS
Aplikace
  • Edge computing
  • Cloud computing
  • 5G infrastruktura
  • 5G základní stanice
  • 5G routery
  • AC/DC SMPS

MOSFETs in 5G

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisTrvalý odtokový proud (Id) při 25°CBudicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)Available QuantityCenaZobrazit podrobnosti
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWSIR510DP-T1-RE3N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW31A (Ta), 126A (Tc)7,5V, 10V100 V5635 - Immediate$65.50Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAKSIHD6N80E-GE3MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK5,4A (Tc)10V800 V1972 - Immediate$58.72Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 40A TO247ACSIHG065N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC40A (Tc)10V600 V421 - Immediate$173.90Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 99A TO247ACSIHG018N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC99A (Tc)10V600 V735 - Immediate$366.08Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAKSIHB11N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK8A (Tc)10V800 V879 - Immediate$59.95Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220SIHA186N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 8.4A TO2208,4A (Tc)10V600 V0 - Immediate$78.84Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAKSIHB186N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK8,4A (Tc)10V600 V3274 - Immediate$81.10Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIHF15N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 15A TO22015A (Tc)10V600 V395 - Immediate$83.56Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247ACSIHG186N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC8,4A (Tc)10V600 V32 - Immediate$91.37Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 800V 12A TO220SIHA11N80E-GE3MOSFET N-CH 800V 12A TO22012A (Tc)10V800 V1079 - Immediate$92.60Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIHA105N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 12A TO22012A (Tc)10V600 V983 - Immediate$100.40Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 21A TO220SIHF22N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 21A TO22021A (Tc)10V600 V3136 - Immediate$101.84Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 29A TO247ACSIHG105N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC29A (Tc)10V600 V305 - Immediate$107.17Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220ABSIHP21N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB17,4A (Tc)10V800 V0 - Immediate$107.79Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIHA125N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 11A TO22011A (Tc)10V600 V980 - Immediate$108.82Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAKSIHB100N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK30A (Tc)10V600 V773 - Immediate$120.73Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 30A TO247ACSIHG100N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC30A (Tc)10V600 V339 - Immediate$141.26Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 40A D2PAKSIHB065N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK40A (Tc)10V600 V0 - Immediate$48.76Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 600V 40A TO220SIHF065N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 40A TO22040A (Tc)10V600 V1196 - Immediate$164.05Zobrazit podrobnosti
MOSFET EF SERIES TO-220ABSIHP052N60EF-GE3MOSFET EF SERIES TO-220AB48A (Tc)10V600 V896 - Immediate$153.16Zobrazit podrobnosti
Published: 2022-12-08

Related Videos

A New Vishay is in motion
A New Vishay is in motion

Publish Date: 2024-09-13

Related Product Highlight

Tranzistory MOSFET 150 V SiR578DP Gen V Tranzistory MOSFET 150 V SiR578DP Gen V od společnosti Vishay poskytují zvýšenou výkonovou hustotu a efektivitu.
Tranzistory MOSFET Gen V TrenchFET Tranzistory MOSFET Gen V TrenchFET od společnosti Vishay poskytují zvýšenou výkonovou hustotu a účinnost pro izolované i neizolované topologie.
SiSS52DN 30 V N-Channel MOSFET Vishay's SiSS52DN 30 V n-channel MOSFET delivers increased power density and efficiency for both isolated and non-isolated topologies.

Related Product Training Modules

High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection Introduction to Vishay E Series of 600 and 650 volt superjunction MOSFETs.