Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SIHB11N80AE-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIHB11N80AE-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHB11N80AE-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK) |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIHB11N80AE-GE3 Modely |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 800 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 450mOhm při 5,5A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 42 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 804 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 78W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-263 (D2PAK) | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Skladem: 879
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 65,51000 Kč | 65,51 Kč |
| 10 | 42,43700 Kč | 424,37 Kč |
| 100 | 29,27960 Kč | 2 927,96 Kč |
| 500 | 23,65298 Kč | 11 826,49 Kč |
| 1 000 | 21,84506 Kč | 21 845,06 Kč |
| 2 000 | 20,32502 Kč | 40 650,04 Kč |
| 5 000 | 18,68154 Kč | 93 407,70 Kč |
| 10 000 | 18,50449 Kč | 185 044,90 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 65,51000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 79,26710 Kč |
Česká republika