
SIHP21N80AE-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHP21N80AE-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHP21N80AE-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB |
Standardní dodací lhůta výrobce | 20 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 800 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 235mOhm při 11A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1388 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 32W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-220AB | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 109,36000 Kč | 109,36 Kč |
50 | 57,00340 Kč | 2 850,17 Kč |
100 | 51,95210 Kč | 5 195,21 Kč |
500 | 43,10476 Kč | 21 552,38 Kč |
1 000 | 40,67058 Kč | 40 670,58 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 109,36000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 132,32560 Kč |