Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SIHB100N60E-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHB100N60E-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHB100N60E-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK) |
Katalogový list | Katalogový list |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 600 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 100mOhm při 13A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 50 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1851 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 208W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-263 (D2PAK) | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Skladem: 658
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 132,29000 Kč | 132,29 Kč |
| 50 | 69,70500 Kč | 3 485,25 Kč |
| 100 | 63,66800 Kč | 6 366,80 Kč |
| 500 | 53,09932 Kč | 26 549,66 Kč |
| 1 000 | 49,70689 Kč | 49 706,89 Kč |
| 2 000 | 47,82295 Kč | 95 645,90 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 132,29000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 160,07090 Kč |
Může vás též zajímatZobrazit vše
9 Položky
Česká republika