


SIHB25N50E-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIHB25N50E-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHB25N50E-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 500V 26A TO263 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 20 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK) |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 500 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 145mOhm při 12A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 86 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1980 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 250W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-263 (D2PAK) | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 93,32000 Kč | 93,32 Kč |
10 | 62,03200 Kč | 620,32 Kč |
100 | 43,98050 Kč | 4 398,05 Kč |
500 | 37,01532 Kč | 18 507,66 Kč |
1 000 | 35,55306 Kč | 35 553,06 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 93,32000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 112,91720 Kč |