


SIHB25N50E-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SIHB25N50E-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHB25N50E-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 500V 26A TO263 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK) |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 500 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 145mOhm při 12A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 86 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1980 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 250W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-263 (D2PAK) | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 103,31000 Kč | 103,31 Kč |
| 10 | 68,28500 Kč | 682,85 Kč |
| 100 | 48,40880 Kč | 4 840,88 Kč |
| 500 | 39,92602 Kč | 19 963,01 Kč |
| 1 000 | 37,20216 Kč | 37 202,16 Kč |
| 2 000 | 34,91317 Kč | 69 826,34 Kč |
| 5 000 | 34,33173 Kč | 171 658,65 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 103,31000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 125,00510 Kč |










