N-kanál 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD600N25N3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPD600N25N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPD600N25N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPD600N25N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPD600N25N3GATMA1
Popis
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce
25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPD600N25N3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
250 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
25A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
60mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 90µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2350 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
136W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO252-3
Pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu
IPD600
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 21 674
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
174,94000 Kč74,94 Kč
1048,86500 Kč488,65 Kč
10033,96940 Kč3 396,94 Kč
50027,60502 Kč13 802,51 Kč
1 00026,44991 Kč26 449,91 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 50021,60940 Kč54 023,50 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:74,94000 Kč
Jednotková cena s DPH:90,67740 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
7 Položky
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

24,23000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

17,04000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

20,33000 Kč
2ED2106S06FXUMA1

2ED2106S06FXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

26,90000 Kč
2ED2101S06FXUMA1

2ED2101S06FXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

26,90000 Kč
6EDL04N06PTXUMA1

6EDL04N06PTXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

74,32000 Kč
2EDS8165HXUMA1

2EDS8165HXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon Technologies

50,92000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
SIHB100N60E-GE3

SIHB100N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK

Vishay Siliconix

120,73000 Kč
SIHB25N50E-GE3

SIHB25N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Vishay Siliconix

94,44000 Kč
IRFR4620TRLPBF

IRFR4620TRLPBF

MOSFET N-CH 200V 24A DPAK

Infineon Technologies

56,87000 Kč
DF04S

DF04S

BRIDGE RECT 1P 400V 1.5A 4-SDIP

onsemi

21,35000 Kč
US1J-13-F

US1J-13-F

DIODE STANDARD 600V 1A SMA

Diodes Incorporated

6,57000 Kč
BZT52H-A6V8-QX

BZT52H-A6V8-QX

DIODE ZENER 6.8V 375MW SOD123F

Nexperia USA Inc.

13,55000 Kč
SBR10U200P5-13

SBR10U200P5-13

DIODE SBR 200V 10A POWERDI5

Diodes Incorporated

29,98000 Kč
TC620HEOA

TC620HEOA

THERMOSTAT PROG ACT HIGH 8SOIC

Microchip Technology

41,06000 Kč
BSS606NH6327XTSA1

BSS606NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89

Infineon Technologies

16,84000 Kč
IPD320N20N3GATMA1

IPD320N20N3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

Infineon Technologies

81,10000 Kč