PG-TO252-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD600N25N3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPD600N25N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPD600N25N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPD600N25N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPD600N25N3GATMA1
Popis
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPD600N25N3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
250 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
25A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
60mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 90µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2350 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
136W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO252-3
Pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu
IPD600
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 16 278
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
169,89000 Kč69,89 Kč
1045,55200 Kč455,52 Kč
10031,66130 Kč3 166,13 Kč
50027,11788 Kč13 558,94 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 50022,15512 Kč55 387,80 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:69,89000 Kč
Jednotková cena s DPH:84,56690 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
7 Položky
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

22,73000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,79000 Kč
6EDL04N06PTXUMA1

6EDL04N06PTXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

69,25000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

18,95000 Kč
2ED2101S06FXUMA1

2ED2101S06FXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

25,05000 Kč
2ED2106S06FXUMA1

2ED2106S06FXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

25,05000 Kč
2EDS8165HXUMA1

2EDS8165HXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon Technologies

47,36000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
5 Položky
IXTK140N30P

IXTK140N30P

MOSFET N-CH 300V 140A TO264

IXYS

514,25000 Kč
IPP200N25N3GXKSA1

IPP200N25N3GXKSA1

MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3

Infineon Technologies

131,98000 Kč
IPB600N25N3GATMA1

IPB600N25N3GATMA1

MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK

Infineon Technologies

75,57000 Kč
IRFR4620TRLPBF

IRFR4620TRLPBF

MOSFET N-CH 200V 24A DPAK

Infineon Technologies

53,05000 Kč
BSC600N25NS3GATMA1

BSC600N25NS3GATMA1

MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1

Infineon Technologies

85,88000 Kč