N-kanál 800 V 5,4A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHD6N80E-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHD6N80E-GE3-ND
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SIHD6N80E-GE3
Popis
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 800 V 5,4A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
E
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
5,4A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
940mOhm při 3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
827 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
78W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-252AA
Pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu
SIHD6
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1 972
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
164,25000 Kč64,25 Kč
1041,61800 Kč416,18 Kč
10028,67700 Kč2 867,70 Kč
50023,14610 Kč11 573,05 Kč
1 00021,36861 Kč21 368,61 Kč
3 00019,11364 Kč57 340,92 Kč
6 00018,03203 Kč108 192,18 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:64,25000 Kč
Jednotková cena s DPH:77,74250 Kč