Name: SIHD6N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD6N80E-GE3-ND
Price: 70.0711 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHD6N80E-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHD6N80E-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHD6N80E-GE3
Popis	MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 5,4A (Tc) 78W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	E
Balení	Hromadné balení
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,4A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	940mOhm při 3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	827 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	78W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-252AA
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	SIHD6

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 1 972

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Hromadné balení