Name: BSC039N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC039N06NSATMA1TR-ND
Price: 62.7627 CZK
Availability: InStock

BSC039N06NSATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSC039N06NSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSC039N06NSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSC039N06NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSC039N06NSATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSC039N06NSATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	19A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,9mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,8V při 36µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2000 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-6
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSC039

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	14,07223 Kč	70 361,15 Kč
10 000	13,41510 Kč	134 151,00 Kč

Jednotková cena bez DPH:	51,87000 Kč
Jednotková cena s DPH:	62,76270 Kč

BSC039N06NSATMA1