VideoLibrary

Paralleling GaN FETs

Paralleling GaN FETs from Nexperia.

4/14/2025 7:28:33 PM

Part List

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$289.23Zobrazit podrobnosti
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247284 - Immediate$366.06Zobrazit podrobnosti
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247127 - Immediate$291.75Zobrazit podrobnosti
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS717 - Immediate$371.74Zobrazit podrobnosti
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (847 - Immediate$371.74Zobrazit podrobnosti

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Nexperia cascode GaN FETs
Nexperia cascode GaN FETs

Publish Date: 2025-04-07

Related Product Highlight

Cascode GaN FETs Nexperia cascode GaN FETs have high power density, performance, and switching frequency for power system applications such as Industry 4.0 and renewable energy.
GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Polovodiče se širokým zakázaným pásmem zvyšují efektivitu v datových centrech Vzhledem k tomu, že datová centra mají obrovské energetické nároky, pro napájení jsou nutná řešení, která dokáží snížit ztráty energie, zvýšit účinnost a zlepšit tepelnou regulaci.
Polovodiče se širokým zakázaným pásmem přetvářejí svět dopravy Celý sektor dopravy prochází radikální transformací díky řešením pro elektrické a hybridní vozy a čistší hromadnou dopravu.
Proč a jak používat tranzistory řízené elektrickým polem na bázi GaN pro efektivní spínané výkonové aplikace s vyšším napětím Zlepšete energetickou účinnost a hustotu výkonu ve spínaných výkonových systémech s vyšším napětím díky pochopení principů a správné aplikace tranzistorů GaN FET.