VideoLibrary

Nexperia cascode GaN FETs

As a global expert for high performance Power FETs, Nexperia now introduces high-voltage devices with GaN-on-Silicon FET technology.

4/7/2025 2:03:15 PM

Part List

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$240.43Zobrazit podrobnosti
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247199 - Immediate$292.08Zobrazit podrobnosti
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247314 - Immediate$232.87Zobrazit podrobnosti
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS601 - Immediate$296.70Zobrazit podrobnosti
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Immediate$296.70Zobrazit podrobnosti

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Publish Date: 2025-04-14

Related Product Highlight

Cascode GaN FETs Nexperia cascode GaN FETs have high power density, performance, and switching frequency for power system applications such as Industry 4.0 and renewable energy.
GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Polovodiče se širokým zakázaným pásmem zvyšují efektivitu v datových centrech Vzhledem k tomu, že datová centra mají obrovské energetické nároky, pro napájení jsou nutná řešení, která dokáží snížit ztráty energie, zvýšit účinnost a zlepšit tepelnou regulaci.
Polovodiče se širokým zakázaným pásmem přetvářejí svět dopravy Celý sektor dopravy prochází radikální transformací díky řešením pro elektrické a hybridní vozy a čistší hromadnou dopravu.
Proč a jak používat tranzistory řízené elektrickým polem na bázi GaN pro efektivní spínané výkonové aplikace s vyšším napětím Zlepšete energetickou účinnost a hustotu výkonu ve spínaných výkonových systémech s vyšším napětím díky pochopení principů a správné aplikace tranzistorů GaN FET.