Nexperia

Cascode GaN FETs

Nexperia GaN FETs offer performance, efficiency, and reliability of power systems

Image of Nexperia’s Cascode GaN FETsNexperia cascode GaN FETs offer high power density, performance, and switching frequency. The very high electron mobility of GaN enables the creation of devices with low on-resistance and exceptionally high switching frequency capability, which are vital in next-generation power systems, such as Industry 4.0 and renewable energy applications. The unique cascode GaN FET solution facilitates easy driving of devices using well-known Si MOSFET gate drivers. They deliver unmatched high junction temperature [Tj (max) = +175°C], design freedom, and improved reliability of power systems.

Cascode GaN FETs

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247199 - Immediate$285.59Zobrazit podrobnosti
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$235.09Zobrazit podrobnosti
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Immediate$290.11Zobrazit podrobnosti
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247314 - Immediate$227.69Zobrazit podrobnosti
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NTBZ650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (0 - Immediate$244.32Zobrazit podrobnosti
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS611 - Immediate$290.11Zobrazit podrobnosti
Published: 2024-09-04

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Publish Date: 2025-04-14

Related Product Highlight

GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Polovodiče se širokým zakázaným pásmem zvyšují efektivitu v datových centrech Vzhledem k tomu, že datová centra mají obrovské energetické nároky, pro napájení jsou nutná řešení, která dokáží snížit ztráty energie, zvýšit účinnost a zlepšit tepelnou regulaci.
Polovodiče se širokým zakázaným pásmem přetvářejí svět dopravy Celý sektor dopravy prochází radikální transformací díky řešením pro elektrické a hybridní vozy a čistší hromadnou dopravu.
Proč a jak používat tranzistory řízené elektrickým polem na bázi GaN pro efektivní spínané výkonové aplikace s vyšším napětím Zlepšete energetickou účinnost a hustotu výkonu ve spínaných výkonových systémech s vyšším napětím díky pochopení principů a správné aplikace tranzistorů GaN FET.