GAN039-650NTBZ Nexperia USA Inc. | Diskrétní polovodičové produkty

GAN039-650NTBZ není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Nexperia USA Inc.

Skladem : 717

Jednotková cena : 371,74000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GAN039-650NTBZ
Číslo produktu DigiKey	1727-GAN039-650NTBZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-GAN039-650NTBZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-GAN039-650NTBZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GAN039-650NTBZ
Popis	650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 58,5A (Tc) 250W (Tc) Montáž na povrch CCPAK1212i
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	58,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	39mOhm při 32A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,6V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1980 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	250W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	CCPAK1212i
Pouzdro	12-BESOP (0,370", 9,40mm šířka), Podložka pro odvod tepla