GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

GAN063-650WSAQ je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Nexperia USA Inc.

Skladem : 175

Jednotková cena : 312,66000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GAN063-650WSAQ
Číslo produktu DigiKey	1727-GAN063-650WSAQ-ND
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GAN063-650WSAQ
Popis	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 34,5A (Tc) 143W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	GAN063-650WSAQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 1mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 15 nC @ 10 V
Balení Trubice	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Zastaralé	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1000 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 143W (Tc)
Technologie GaNFET (kaskodový gallium-nitridový FET)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 34,5A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-247-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-247-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 60mOhm při 25A, 10V	Základní číslo produktu GAN063