GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | Diskrétní polovodičové produkty

GAN063-650WSAQ je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Nexperia USA Inc.

Skladem : 284

Jednotková cena : 366,06000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GAN063-650WSAQ
Číslo produktu DigiKey	1727-GAN063-650WSAQ-ND
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GAN063-650WSAQ
Popis	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 34,5A (Tc) 143W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	GAN063-650WSAQ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (kaskodový gallium-nitridový FET)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	34,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	60mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1000 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	143W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-3
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	GAN063