Name: SUM40012EL-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SUM40012EL-GE3TR-ND
Price: 94.38 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUM40012EL-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SUM40012EL-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SUM40012EL-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SUM40012EL-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SUM40012EL-GE3
Popis	MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 150A (Tc) 150W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 195 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 10930 pF @ 20 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 150W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 150A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu SUM40012
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,67mOhm při 30A, 10V