Name: SIR178DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR178DP-T1-RE3TR-ND
Price: 66.8162 CZK
Availability: InStock

SIR178DP-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIR178DP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIR178DP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIR178DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR178DP-T1-RE3
Popis	MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 100A (Ta), 430A (Tc) 6,3W (Ta), 104W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR178DP-T1-RE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A (Ta), 430A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,4mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	310 nC @ 10 V
Vgs (max)	+12V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	12430 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	6,3W (Ta), 104W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIR178

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
3 000	16,16006 Kč	48 480,18 Kč
6 000	16,07659 Kč	96 459,54 Kč

Jednotková cena bez DPH:	55,22000 Kč
Jednotková cena s DPH:	66,81620 Kč

SIR178DP-T1-RE3