Name: SQJB80EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJB80EP-T1_GE3TR-ND
Price: 50.3118 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJB80EP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJB80EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJB80EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJB80EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJB80EP-T1_GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	39 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 80V 30A (Tc) 48W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQJB80EP-T1_GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 32nC při 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1400pF při 25V
Řada TrenchFET®	Výkon - max 48W
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Stav součásti Aktivní	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80V	Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 30A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální
Rds zap (max) při Id, Vgs 19mOhm při 8A, 10V	Základní číslo produktu SQJB80
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA