Name: SQSA80ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQSA80ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 50.5659 CZK
Availability: InStock

SQSA80ENW-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQSA80ENW-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQSA80ENW-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQSA80ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQSA80ENW-T1_GE3
Popis	MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Standardní dodací lhůta výrobce	39 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 18A (Tc) 62,5W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SQSA80ENW-T1_GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	18A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	21mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1358 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	62,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8
Základní číslo produktu	SQSA80

Jednotková cena bez DPH:	41,79000 Kč
Jednotková cena s DPH:	50,56590 Kč

SQSA80ENW-T1_GE3