Name: SQSA84CENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQSA84CENW-T1_GE3TR-ND
Price: 25.4705 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQSA84CENW-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQSA84CENW-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQSA84CENW-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQSA84CENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQSA84CENW-T1_GE3
Popis	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 16A (Ta) 27W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8W
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	16A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	32mOhm a 3,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1050 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	27W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8W
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8W