P-kanál 30 V 25,9A (Ta), 94A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8S
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SISS65DN-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SISS65DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SISS65DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SISS65DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SISS65DN-T1-GE3
Popis
MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce
31 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 30 V 25,9A (Ta), 94A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8S
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SISS65DN-T1-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET® Gen III
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
P-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
25,9A (Ta), 94A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
4,6mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4930 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
5,1W (Ta), 65,8W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PowerPAK® 1212-8S
Pouzdro
PowerPAK® 1212-8S
Základní číslo produktu
SISS65
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 33 255
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
135,07000 Kč35,07 Kč
1022,19500 Kč221,95 Kč
10014,79520 Kč1 479,52 Kč
50011,62114 Kč5 810,57 Kč
1 00010,59979 Kč10 599,79 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 0009,30295 Kč27 908,85 Kč
6 0008,65030 Kč51 901,80 Kč
9 0008,31789 Kč74 861,01 Kč
15 0007,94451 Kč119 167,65 Kč
21 0007,82963 Kč164 422,23 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:35,07000 Kč
Jednotková cena s DPH:42,43470 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
SZNZ8F5V6SMX2WT5G

SZNZ8F5V6SMX2WT5G

DIODE ZENER 5.6V 250MW 2-X2DFNW

onsemi

7,77000 Kč
MPM3814GPA-P

MPM3814GPA-P

2.75V TO 6V, 1A, ULTRA-SMALL, UL

Monolithic Power Systems Inc.

69,50000 Kč
SISS63DN-T1-GE3

SISS63DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK

Vishay Siliconix

36,75000 Kč
BSZ034N04LSATMA1

BSZ034N04LSATMA1

MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON

Infineon Technologies

33,18000 Kč
PUSB3FR4Z

PUSB3FR4Z

TVS DIODE 3.3VWM 3VC DFN2510A-10

Nexperia USA Inc.

2,94000 Kč
MPM3814GPA-Z

MPM3814GPA-Z

2.75V TO 6V, 1A, ULTRA-SMALL, UL

Monolithic Power Systems Inc.

32,68616 Kč
STM32G0B1VCT6TR

STM32G0B1VCT6TR

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP

STMicroelectronics

61,74588 Kč
MAX17634CATP+

MAX17634CATP+

IC REG BUCK ADJ 4.25A 20TQFN

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

95,75000 Kč
SISS05DN-T1-GE3

SISS05DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK

Vishay Siliconix

46,41000 Kč
SISS61DN-T1-GE3

SISS61DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK

Vishay Siliconix

38,22000 Kč