Name: SISS61DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS61DN-T1-GE3TR-ND
Price: 38.72 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SISS61DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SISS61DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SISS61DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SISS61DN-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8S
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SISS61DN-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen III
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30,9A (Ta), 111,9A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,8V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,5mOhm při 15A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	900mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	231 nC @ 10 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8740 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	5W (Ta), 65,8W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8S
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8S
Základní číslo produktu	SISS61

Jednotková cena bez DPH:	32,00000 Kč
Jednotková cena s DPH:	38,72000 Kč

SISS61DN-T1-GE3