
SISS61DN-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SISS61DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SISS61DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SISS61DN-T1-GE3 |
Popis | MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK |
Standardní dodací lhůta výrobce | 19 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | P-kanál 20 V 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8S |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SISS61DN-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 20 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 1,8V, 4,5V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 3,5mOhm při 15A, 4,5V | |
Vgs(th) (max) při Id | 900mV při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 231 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 8740 pF @ 10 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 5W (Ta), 65,8W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® 1212-8S | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 29,58000 Kč | 29,58 Kč |
10 | 19,93400 Kč | 199,34 Kč |
100 | 13,28950 Kč | 1 328,95 Kč |
500 | 10,42584 Kč | 5 212,92 Kč |
1 000 | 9,50410 Kč | 9 504,10 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 8,33353 Kč | 25 000,59 Kč |
6 000 | 7,74446 Kč | 46 466,76 Kč |
9 000 | 7,55923 Kč | 68 033,07 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 29,58000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 35,79180 Kč |