
SIRB40DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIRB40DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIRB40DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIRB40DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIRB40DP-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 40V 40A PPAK SO8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 55 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 40V 40A (Tc) 46,2W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SIRB40DP-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 40V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 40A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 3,25mOhm při 10A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 45nC při 4,5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 4290pF při 20V | |
Výkon - max | 46,2W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | PowerPAK® SO-8 duální | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® SO-8 duální | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 49,56000 Kč | 49,56 Kč |
| 10 | 31,77000 Kč | 317,70 Kč |
| 100 | 21,65310 Kč | 2 165,31 Kč |
| 500 | 17,32418 Kč | 8 662,09 Kč |
| 1 000 | 16,91158 Kč | 16 911,58 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 14,16595 Kč | 42 497,85 Kč |
| 6 000 | 13,81668 Kč | 82 900,08 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 49,56000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 59,96760 Kč |




